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DS/EN 62417-2010 半导体装置 - 移动离子的测试为金属氧化物半导体场效应晶体管(MOSFET )

DS/EN 62417-2010 半导体装置 - 移动离子的测试为金属氧化物半导体场效应晶体管(MOSFET )

DS/EN 62417-2010 标准详情

  • 标准号:DS/EN 62417-2010
  • 中文标题:半导体装置 - 移动离子的测试为金属氧化物半导体场效应晶体管(MOSFET )
  • 英文标题:Semiconductor devices - Mobile ion tests for metal-oxide semiconductor field effect transistors (MOSFETs)
  • 标准类别:丹麦DANSK
  • 发布日期:2010-07-19

内容简介

IEC 62417-2010 半导体器件 金属氧化物半导体场效应晶体管的可移动离子试验 provides a wafer level test procedure to determine the amount of positive mobile charge in oxide layers in metal-oxide semiconductor field effect transistors. It is applicable to both active and parasitic f

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