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DB13/T 5696-2023 基于高温反偏试验的GaN HEMT 射频功率器件缺陷快速筛选方法

DB13/T 5696-2023 基于高温反偏试验的GaN HEMT 射频功率器件缺陷快速筛选方法

DB13/T 5696-2023

地方标准河北省推荐性

标准详情

  • 标准名称:基于高温反偏试验的GaN HEMT 射频功率器件缺陷快速筛选方法
  • 标准号:DB13/T 5696-2023
    中国标准分类号:L40
  • 发布日期:2023-05-06
    国际标准分类号:31.08
  • 实施日期:2023-06-06
    技术归口:石家庄市市场监督管理局
  • 代替标准:
    批准发布部门:河北省市场监督管理局
  • 标准分类:电子学河北省

内容简介

地方标准《基于高温反偏试验的GaN HEMT 射频功率器件缺陷快速筛选方法》,主管部门为河北省市场监督管理局。本文件规定了基于高温反偏试验的GaN HEMT射频功率器件缺陷快速筛选的筛选原理、筛选条件、筛选系统构成和要求、筛选方法和判据。本文件适用于工业级GaN HEMT射频功率器件的快速筛选,GaN HEMT射频功率模块可参照使用。

起草单位

河北博威集成电路有限公司

起草人

郭跃伟、王鹏、张博、王静辉、闫志峰、郝永利、王景亮、刘子浩

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