DB13/T 5695-2023 GaN HEMT 射频器件陷阱效应测试方法
内容简介
地方标准《GaN HEMT 射频器件陷阱效应测试方法》，主管部门为河北省市场监督管理局。本文件规定了GaN HEMT射频器件陷阱效应的测试原理、测试环境、测试系统、测试步骤、试验数据处理。本文件适用于GaN HEMT射频器件陷阱效应评估，GaN HEMT射频芯片、模块和晶圆级封装产品可参照使用。
起草单位
河北博威集成电路有限公司、中国电子科技集团公司第十三研究所、气派科技股份有限公司
起草人
卢啸、张博、郭跃伟、闫志峰、郝永利、段磊、王静辉、王鹏、付兴中、陈勇
相近标准
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