DLA SMD-5962-96845 REV C-2006 互补金属氧化物半导体4K X 8/9抗辐射双端口静态随机存储器,硅单片电路数字记忆微电路
DLA SMD-5962-96845 REV C-2006 标准详情
- 标准号:DLA SMD-5962-96845 REV C-2006
- 中文标题:互补金属氧化物半导体4K X 8/9抗辐射双端口静态随机存储器,硅单片电路数字记忆微电路
- 英文标题:MICROCIRCUIT, MEMORY, DIGITAL, CMOS 4K X 8/9 RADIATION-HARDENED DUAL-PORT STATIC RANDOM ACCESS MEMORY (SRAM), MONOLITHIC SILICON
- 标准类别:美国国防部后勤局标准DLA
- 发布日期:2006-02-24
内容简介
This drawing documents two product assurance class levels consisting of high reliability (device classes Q and M) and space application (device class V).
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