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DLA SMD-5962-96618 REV B-1997 抗辐射互补金属氧化物半导体双重互补加法变极器硅单片电路数字微电路

DLA SMD-5962-96618 REV B-1997 抗辐射互补金属氧化物半导体双重互补加法变极器硅单片电路数字微电路

DLA SMD-5962-96618 REV B-1997 标准详情

  • 标准号:DLA SMD-5962-96618 REV B-1997
  • 中文标题:抗辐射互补金属氧化物半导体双重互补加法变极器硅单片电路数字微电路
  • 英文标题:MICROCIRCUIT, DIGITAL, RADIATION HARDENED, CMOS, DUAL COMPLEMENTARY PAIR PLUS INVERTER, MONOLITHIC SILICON
  • 标准类别:美国国防部后勤局标准DLA
  • 发布日期:1997-07-29

内容简介

This appendix establishes minimum requirements for microcircuit die to be supplied under the QualifiedManufacturers List (QML) Program. QML microcircuit die meeting the requirements of MIL-PRF-38535 and themanufacturers approved QM plan for use in mo

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