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DLA SMD-5962-95751 REV B-2000 高速抗辐射互补金属氧化物半导体,非倒相八角缓冲器或三状态输出行驱动器,晶体管兼容输入硅单片电路线型微电路

DLA SMD-5962-95751 REV B-2000 高速抗辐射互补金属氧化物半导体,非倒相八角缓冲器或三状态输出行驱动器,晶体管兼容输入硅单片电路线型微电路

DLA SMD-5962-95751 REV B-2000 标准详情

  • 标准号:DLA SMD-5962-95751 REV B-2000
  • 中文标题:高速抗辐射互补金属氧化物半导体,非倒相八角缓冲器或三状态输出行驱动器,晶体管兼容输入硅单片电路线型微电路
  • 英文标题:MICROCIRCUIT, DIGITAL, RADIATION HARDENED HIGH SPEED CMOS, NON-INVERTING OCTAL BUFFER/LINE DRIVER WITH THREE-STATE OUTPUTS, TTL COMPATIBLE INPUTS, MONOLITHIC SILICON
  • 标准类别:美国国防部后勤局标准DLA
  • 发布日期:2000

内容简介

This drawing documents two product assurance class levels consisting of high reliability (device classes Q and M) and space application (device class V). A choice of case outlines and lead finishes are available and are reflected in the Part or Ident

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