DLA MIL-PRF-19500/687 B VALID NOTICE 1-2013 半导体器件,场效应抗辐射(总剂量和单粒子效应)晶体管,N沟道硅,类型2N7509 , 2N7510和2N7511 , JANTXVD ,R和JANSD ,R
DLA MIL-PRF-19500/687 B VALID NOTICE 1-2013 标准详情
- 标准号:DLA MIL-PRF-19500/687 B VALID NOTICE 1-2013
- 中文标题:半导体器件,场效应抗辐射(总剂量和单粒子效应)晶体管,N沟道硅,类型2N7509 , 2N7510和2N7511 , JANTXVD ,R和JANSD ,R
- 英文标题:Semiconductor Device, Field Effect Radiation Hardened (Total Dose and Single Event Effects) Transistor, N-Channel Silicon, Types 2N7509, 2N7510, and 2N7511, JANTXVD, R and JANSD, R
- 标准类别:美国国防部后勤局DLA
- 发布日期:2013-08-13
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