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DLA MIL-PRF-19500/632 B VALID NOTICE 1-2011 半导体器件,场效应抗辐射(总剂量和单粒子效应)晶体管,N沟道硅类型2N7399 , 2N7400 , 2N7401和2N7402 , JANSD和JANSR

DLA MIL-PRF-19500/632 B VALID NOTICE 1-2011 半导体器件,场效应抗辐射(总剂量和单粒子效应)晶体管,N沟道硅类型2N7399 , 2N7400 , 2N7401和2N7402 , JANSD和JANSR

DLA MIL-PRF-19500/632 B VALID NOTICE 1-2011 标准详情

  • 标准号:DLA MIL-PRF-19500/632 B VALID NOTICE 1-2011
  • 中文标题:半导体器件,场效应抗辐射(总剂量和单粒子效应)晶体管,N沟道硅类型2N7399 , 2N7400 , 2N7401和2N7402 , JANSD和JANSR
  • 英文标题:Semiconductor Device, Field Effect Radiation Hardened (Total Dose and Single Event Effects) Transistors, N-Channel Silicon Types 2N7399, 2N7400, 2N7401, and 2N7402, JANSD and JANSR
  • 标准类别:美国国防部后勤局标准DLA
  • 发布日期:2011-07-15

内容简介

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