GB/T 42271-2022 半绝缘碳化硅单晶的电阻率非接触测试方法
Test method for resistivity of semi-insulating monocrystalline silicon carbide by contactless measurement
内容简介
国家标准《半绝缘碳化硅单晶的电阻率非接触测试方法》由TC203（全国半导体设备和材料标准化技术委员会）归口，TC203SC2（全国半导体设备和材料标准化技术委员会材料分会）执行，主管部门为国家标准化管理委员会。本文件描述了半绝缘碳化硅单晶的电阻率非接触测试方法。 本文件适用于测量电阻率范围为 1×10 5 Ω·cm～1×1012Ω·cm的半绝缘碳化硅单晶片。
起草单位
北京天科合达半导体股份有限公司、安徽长飞先进半导体有限公司、中国电子科技集团公司第四十六研究所、中关村天合宽禁带半导体技术创新联盟、有色金属技术经济研究院有限责任公司、
起草人
彭同华、佘宗静、李素青、王波、刘立娜、王大军、张贺、杨建、袁松、
相近标准
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