当前位置:首页国外标准

ASTM F980-2010e1 标准指南中子感应位移故障的快速退火的测量硅半导体器件

ASTM F980-2010e1 标准指南中子感应位移故障的快速退火的测量硅半导体器件

ASTM F980-2010e1 标准详情

  • 标准号:ASTM F980-2010e1
  • 中文标题:标准指南中子感应位移故障的快速退火的测量硅半导体器件
  • 英文标题:Standard Guide for Measurement of Rapid Annealing of Neutron-Induced Displacement Damage in Silicon Semiconductor Devices
  • 标准类别:美国材料与试验协会ASTM
  • 发布日期:12 January 2010

内容简介

Scope 1.1 This guide defines the requirements and procedures for testing silicon discrete semiconductor devices and integrated circuits for rapid-annealing effects from displacement damage resulting from neutron radiation. This test will produ

* 特别声明:资源收集自网络或用户上传,本网站所提供的电子文本仅供参考,请以正式出版物为准。仅供个人标准化学习,研究使用。如有侵权,请及时联系我们!

  • 标准质量:
  • 下载说明

  • ① 欢迎分享本站未收录或质量优于本站的标准,期待。
    ② 仅供网友学习交流,若侵犯了您的权益,请联系我们予以删除。
    ③ 代购正版,联系:联系邮箱