SJ 20011-1992 半导体分立器件 ｇｐ、ｇｔ和ｇｃｔ级ｃｓ１型硅ｎ沟道耗尽型场效应晶体管详细规范
内容简介
本标准规定了CS1型硅沟道结型场效应晶体管(以下简称器件)的详细要求该种器件按GJB33-85《半导体分立器件总规范》的规定提供产品保证的三个等级(GP、GT和GCT级)。
起草单位
中国电子技术标准化研究所
起草人
王长福、吴志龙、张宗国、刘美英
相近标准
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