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DLA MIL-PRF-19500/661 C (1)-2012 半导体器件，场效应抗辐射（TOTAL剂量和单粒子效应）晶体管，N - CHANNEL ，硅，类型2N7444 ， 2N7434 ， 2N7391 ，和2N7392 ， JANTXVR和JANSR

DLA MIL-PRF-19500/661 C (1)-2012 半导体器件，场效应抗辐射（TOTAL剂量和单粒子效应）晶体管，N - CHANNEL ，硅，类型2N7444 ， 2N7434 ， 2N7391 ，和2N7392 ， JANTXVR和JANSR

DLA MIL-PRF-19500/661 C (1)-2012 标准详情

  • 标准号：DLA MIL-PRF-19500/661 C (1)-2012
  • 中文标题：半导体器件，场效应抗辐射（TOTAL剂量和单粒子效应）晶体管，N - CHANNEL ，硅，类型2N7444 ， 2N7434 ， 2N7391 ，和2N7392 ， JANTXVR和JANSR
  • 英文标题：SEMICONDUCTOR DEVICE, FIELD EFFECT RADIATION HARDENED (TOTAL DOSE AND SINGLE EVENT EFFECTS) TRANSISTORS, N-CHANNEL, SILICON, TYPES 2N7444, 2N7434, 2N7391, AND 2N7392, JANTXVR AND JANSR
  • 标准类别：美国国防部后勤局DLA
  • 发布日期：2012-06-18

内容简介

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