SJ/T 11490-2015 低位错密度砷化镓抛光片蚀坑密度的测量方法
内容简介
行业标准《低位错密度砷化镓抛光片蚀坑密度的测量方法》由全国半导体设备和材料标准化技术委员会归口上报，主管部门为工业和信息化部。本标准规定了低位错密度砷化镓(GAAS)抛光片腐蚀坑密度(EPD)的测量方法。
起草单位
信息产业专用材料质量监督检验中心、苏州晶瑞化学有限公司等、工业和信息化部电子工业标准化研究院、
起草人
章安辉、何秀坤、刘兵、
相近标准
SJ/T11489-2015低位错密度磷化铟抛光片蚀坑密度的测量方法20021943-T-610砷化镓单晶位错密度的测量方法GB/T8760-1988砷化镓单晶位错密度的测量方法GB/T8760-2006砷化镓单晶位错密度的测量方法20141872-T-469低位错密度锗单晶片腐蚀坑密度(EPD)的测量方法GB/T34481-2017低位错密度锗单晶片腐蚀坑密度(EPD)的测量方法20141897-T-469太阳能电池用砷化镓单晶抛光片GB/T35305-2017太阳能电池用砷化镓单晶抛光片YS/T25-1992硅抛光片表面清洗方法硅单晶抛光片
* 特别声明：资源收集自网络或用户上传，本网站所提供的电子文本仅供参考，请以正式出版物为准。电子文本仅供个人标准化学习、研究使用，不得复制、发行、汇编、翻译或网络传播等。如有侵权，请及时联系我们！
相关推荐
-
现行
-
现行
-
现行
-
现行
-
现行