SJ/T 11586-2016 半导体器件10KeV低能X射线总剂量辐照试验方法
内容简介
行业标准《半导体器件10KeV低能X射线总剂量辐照试验方法》由工业和信息化部电子工业标准化研究院归口上报，主管部门为工业和信息化部。本标准规定了使用 X 射线辐射仪(光子平均能量约 10KEV,最大光子能量不超过100KEV)对半导体器件和电路进行电离辐射效应试验的方法和程序。适用于半导体器件的总剂量电离辐照评估试验。
起草单位
工业和信息化部电子第五研究所、
起草人
罗宏伟、何玉娟、恩云飞、
相近标准
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