GB/T 29332-2012 半导体器件 分立器件 第9部分：绝缘栅双极晶体管(IGBT)
Semiconductor devices - Discrete devices - Part 9: Insulated-gate bipolar transistors(IGBT)
GB/T 29332-2012
国家标准推荐性
内容简介
国家标准《半导体器件 分立器件 第9部分：绝缘栅双极晶体管(IGBT)》由TC78（全国半导体器件标准化技术委员会）归口上报及执行，主管部门为工业和信息化部（电子）。
起草单位
西安电力电子技术研究所、英飞凌科技（中国）有限公司、江苏宏微科技有限公司、西安爱帕克电力电子有限公司、威海新佳电子有限公司、
起草人
蔚红旗、张立、王晓宝、秦贤满、陈子颖、乜连波、
相近标准
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