SJ 20858-2002 碳化硅单晶材料电学参数测试方法
内容简介
本标准规定了碳化硅单晶材料的电阻率、霍尔迁移率测试方法。本标准适用于温度在20℃~700℃范围内的4H-SIC、6H-SIC等低阻碳化硅体单晶材料的电阻率、霍尔迁移率测量。
起草单位
中国电子科技集团公司第四十六所
起草人
相近标准
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