当前位置:主页行业标准

SJ/T 11499-2015 碳化硅单晶电学性能的测试方法

SJ/T 11499-2015 碳化硅单晶电学性能的测试方法

SJ/T 11499-2015

行业标准-电子推荐性

标准详情

  • 标准名称:碳化硅单晶电学性能的测试方法
  • 标准号:SJ/T 11499-2015
    中国标准分类号:H83
  • 发布日期:2015-04-30
    国际标准分类号:29.045
  • 实施日期:2015-10-01
    技术归口:全国半导体设备和材料标准化技术委员会
  • 代替标准:
    批准发布部门:工业和信息化部
  • 标准分类:电气工程半导体材料电子

内容简介

行业标准《碳化硅单晶电学性能的测试方法》由全国半导体设备和材料标准化技术委员会归口上报,主管部门为工业和信息化部。

起草单位

中国电子科技集团公司第四十六研究所、工业和信息化部电子工业标准化研究院、

起草人

丁丽、郑庆瑜、蔺娴、

相近标准

20091221-T-469碳化硅单晶片直径测试方法GB/T30866-2014碳化硅单晶片直径测试方法碳化硅单晶位错密度的测试方法20202830-T-469碳化硅单晶位错密度的测试方法碳化硅单晶20120289-T-469碳化硅单晶片平整度测试方法SJ/T11501-2015碳化硅单晶晶型的测试方法SJ/T11500-2015碳化硅单晶晶向的测试方法GB/T32278-2015碳化硅单晶片平整度测试方法20091225-T-469碳化硅单晶片厚度和总厚度变化测试方法

* 特别声明:资源收集自网络或用户上传,本网站所提供的电子文本仅供参考,请以正式出版物为准。电子文本仅供个人标准化学习、研究使用,不得复制、发行、汇编、翻译或网络传播等。如有侵权,请及时联系我们!

相关推荐