GB/T 6352-1998 半导体器件 分立器件 第6部分:闸流晶体管 第一篇 100A以下环境或管壳额定反向阻断三极闸流晶体管空白详细规范
Semiconductor devices--Discrete devices--Part 6:Thyristors--Section One:Blank detail specification for reverse blocking triode thyristors，ambient or case-rated，up to 100A
内容简介
国家标准《半导体器件 分立器件 第6部分:闸流晶体管 第一篇 100A以下环境或管壳额定反向阻断三极闸流晶体管空白详细规范》由TC78（全国半导体器件标准化技术委员会）归口上报及执行，主管部门为工业和信息化部（电子）。
起草单位
电子工业部标准化研究所、
起草人
相近标准
GB/T6590-1998半导体器件分立器件第6部分:闸流晶体管第二篇100A以下环境或管壳额定的双向三极闸流晶体管空白详细规范GB/T13150-2005半导体器件分立器件电流大于100A、环境和管壳额定的双向三极晶闸管空白详细规范GB/T6217-1998半导体器件分立器件第7部分:双极型晶体管第一篇高低频放大环境额定的双极型晶体管空白详细规范GB/T13151-2005半导体器件分立器件第6部分:晶闸管第3篇电流大于100A、环境和管壳额定的反向阻断三极晶闸管空白详细规范GB/T13151-1991100A以上环境或管壳额定反向阻断三极晶闸管空白详细规范20031304-T-604电流100A以上环境或管壳额定反向阻断三极晶闸管空白详细规范GB/T6219-1998半导体器件分立器件第8部分:场效应晶体管第一篇1GHz、5W以下的单栅场效应晶体管空白详细规范GB/T7576-1998半导体器件分立器件第7部分:双极型晶体管第四篇高频放大管壳额定双极型晶体管空白详细规范20200761-T-339半导体器件分立器件第7部分：双极型晶体管GB/T6351-1998半导体器件分立器件第2部分:整流二极管第一篇100A以下环境或管壳额定整流二极管(包括雪崩整流二极管)空白详细规范
* 特别声明：资源收集自网络或用户上传，本网站所提供的电子文本仅供参考，请以正式出版物为准。电子文本仅供个人标准化学习、研究使用，不得复制、发行、汇编、翻译或网络传播等。如有侵权，请及时联系我们！