SJ 20012-1992 半导体分立器件 ｇｐ、ｇｔ和ｇｃｔ级ｃｓ４型硅ｎ沟道耗尽型场效应晶体管详细规范
内容简介
本规范规定了CS4型硅N沟道蜡型场效应晶体E(以下简称器件)的详细要求,该种器件按GJB33-8585《半导体分立器件总规范》的规定,提供产品保证的三个等级(GP、GT和GCT级)。级).
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