GB/T 43612-2023 碳化硅晶体材料缺陷图谱
Collection of metallographs on defects in silicon carbide crystal materials
内容简介
国家标准《碳化硅晶体材料缺陷图谱》由TC203（全国半导体设备和材料标准化技术委员会）归口，TC203SC2（全国半导体设备和材料标准化技术委员会材料分会）执行，主管部门为国家标准化管理委员会。本文件规定了导电型4H碳化硅(4HSiC)晶体材料缺陷的形貌特征，产生原因和缺陷图谱。本文件适用于半导体行业碳化硅（晶锭、衬底片、外延片及后续工艺)的研发、生产及检测分析等环节。
起草单位
广东天域半导体股份有限公司、北京第三代半导体产业技术创新战略联盟、河北同光半导体股份有限公司、山西烁科晶体有限公司、北京天科合达半导体股份有限公司、中国科学院半导体研究所、中国电子科技集团公司第四十六研究所、南京国盛电子有限公司、新美光（苏州）半导体科技有限公司、有色金属技术经济研究院有限责任公司、山东天岳先进科技股份有限公司、北京大学东莞光电研究院、河北普兴电子科技股份有限公司、中国电子科技集团公司第十三研究所、湖州东尼半导体科技有限公司、中电化合物半导体有限公司、哈尔滨科友半导体产业装备与技术研究院有限公司、江苏卓远半导体有限公司、
起草人
丁雄杰、 刘薇、 李素青、 丁晓民、 张红岩、 杨昆、 高伟、 路亚娟、 钮应喜、 晏阳、 吴殿瑞、 李国鹏、 张胜涛、 夏秋良、 韩景瑞、贺东江、张红、李焕婷、李斌、尹浩田、佘宗静、王阳、姚康、金向军、张新峰、赵丽丽、李国平、
相近标准
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