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T/CIE 126-2021 磁随机存储芯片测试方法

T/CIE 126-2021 磁随机存储芯片测试方法

T/CIE 126-2021

团体标准推荐性现行
  • 标准名称:磁随机存储芯片测试方法
  • 标准号:T/CIE 126-2021
    中国标准分类号:/I6550
  • 发布日期:2021-12-23
    国际标准分类号:31.200
  • 实施日期:2022-02-10
    团体名称:中国电子学会
  • 标准分类:信息处理和存储支持服务

内容简介

本标准给出了磁随机存储(MagneticRandom-AccessMemory;MRAM)芯片测试方法的术语、测试原理、测试环境、测试设备、测试程序等。本标准适用于磁随机存储芯片测试和磁随机存储芯片关键性能(可靠性和电学参数等)验证。

起草单位

北京航空航天大学、北京智芯微电子科技有限公司、北京芯可鉴科技有限公司、中国电子科技集团公司第五十八研究所、上海佑磁信息科技有限公司、北京时代民芯科技有限公司、致真存储(北京)科技有限公司、深圳亘存科技有限责任公司、中国电子技术标准化研究院

起草人

赵巍胜、彭守仲、李月婷、曹凯华、王昭昊、聂天晓、史可文、王佑、邓尔雅、 陈燕宁、付振、潘成、刘芳、赵桂林、帅喆、孙杰杰、王超、卢辉、王亮、陆时进、李鑫云、曹安妮、王戈飞、刘宏喜、郭玮、何帆、菅端端、南江

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