标准详情
- 标准名称：磁随机存储芯片测试方法
- 标准号：T/CIE 126-2021
- 中国标准分类号：/I6550
- 发布日期：2021-12-23
- 国际标准分类号：31.200
- 实施日期：2022-02-10
- 团体名称：中国电子学会
- 标准分类：信息处理和存储支持服务
T/CIE 126-2021 磁随机存储芯片测试方法
内容简介
本标准给出了磁随机存储(MagneticRandom-AccessMemory;MRAM)芯片测试方法的术语、测试原理、测试环境、测试设备、测试程序等。本标准适用于磁随机存储芯片测试和磁随机存储芯片关键性能（可靠性和电学参数等）验证。
起草单位
北京航空航天大学、北京智芯微电子科技有限公司、北京芯可鉴科技有限公司、中国电子科技集团公司第五十八研究所、上海佑磁信息科技有限公司、北京时代民芯科技有限公司、致真存储（北京）科技有限公司、深圳亘存科技有限责任公司、中国电子技术标准化研究院
起草人
赵巍胜、彭守仲、李月婷、曹凯华、王昭昊、聂天晓、史可文、王佑、邓尔雅、 陈燕宁、付振、潘成、刘芳、赵桂林、帅喆、孙杰杰、王超、卢辉、王亮、陆时进、李鑫云、曹安妮、王戈飞、刘宏喜、郭玮、何帆、菅端端、南江
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