T/CIE 119-2021 半导体器件大气中子单粒子效应试验方法与程序

内容简介

本文件给出半导体器件大气中子单粒子效应试验方法与程序。专门针对使用散裂中子源对半导体器件进行大气中子单粒子效应加速试验，根据半导体器件工艺和散裂中子源测试条件变化，编制新标准，覆盖热中子和高能中子协同测试，提升试验效率，覆盖高速大容量器件测试、MBU测试分析、1MeV~10MeV中子贡献等半导体器件大气中子单粒子效应测试中的关键环节。通过开展散裂中子源加速辐照试验、数据处理分析和计算，可以得到半导体器件在实际应用环境下的大气中子单粒子效应敏感性数据，为半导体器件抗辐射能力评价提供依据，为电子系统软错误模型和分析评价提供基础数据。