T/CASAS 017-2021 第三代半导体 微纳米金属烧结技术 术语

内容简介

本文件规定了第三代半导体器件封装用微纳米金属烧结技术相关术语的定义，具体包括一般术语、烧结原理相关术语、烧结材料相关术语、烧结工艺相关术语、性能测试与可靠性术语
本文件适用于第三代半导体高温工作芯片与基板的封装，应用于光电子器件、功率器件、射频器件等；适用于器件基板与底板、底板与热沉的连接连接工艺的研发、生产制造及相关领域的从业者
第三代半导体材料是指带隙宽度明显大于第一代半导体（如：硅、锗）、第二代半导体（如：砷化镓、磷化铟）的宽禁带半导体材料，目前产业化以SiC、GaN为主。它具备禁带宽度大、击穿电场高、热导率大、电子饱和漂移速率高、抗辐射能力强等优越性能，第三代半导体器件（光电子器件、功率器件、射频器件）在半导体照明、消费类电子、5G移动通信、新能源汽车、智能电网、轨道交通等领域有广阔的应用前景，有望突破传统半导体技术的瓶颈，与第一代、第二代半导体技术互补，对节能减排、产业转型升级、催生新的经济增长点发挥重要作用，正在成为全球半导体产业新的战略高地。随着宽禁带半导体器件的出现、日趋成熟及商业化普及，其独特的耐高温性能正在加速推动器件结温从目前的150℃迈向175℃、甚至200℃发展。结温的不断提高对封装互连技术提出了更高要求和新的挑战。近年来，新型微纳米金属烧结互连技术凭借其组分单一、低工艺温度、高服役温度等优点，逐渐成为宽禁带半导体模块封装最重要的连接技术之一。然而，目前微纳米金属烧结连接技术尚属起步推广阶段，关于微纳米金属烧结材料、烧结工艺、烧结连接件性能和可靠性等关键环节的术语，业内尚无统一标准，这给从业人员的技术交流、产品验证和质量评估造成了一定的困难。因此，有必要根据实际需求，制定术语标准以规范该行业的专业和技术用语，对后续从事该项技术开发的企业单位也有一定的指导价值。